TPIC6A259DW

这种功率逻辑8位可寻址锁存器控制开漏DMOS晶体管输出，设计用于数字系统中的通用存储应用。具体用途包括工作寄存器、串行保持寄存器以及解码器或解复用器。这是一个多功能器件，能够作为八个可寻址锁存器或具有低电平有效DMOS输出的8线解复用器工作。每个开漏DMOS晶体管都具有独立的斩波电流限制电路，以防止在短路情况下损坏。

通过控制清除(CLR)和使能(G)输入可以选择四种不同的操作模式，如功能表中所列。在可寻址锁存模式下，数据输入(D)端的数据被写入到指定的锁存器中。指定的DMOS晶体管输出会反相数据输入，而所有未指定的DMOS晶体管输出保持其先前状态。在存储模式下，所有DMOS晶体管输出保持其先前状态，并且不受数据或地址输入的影响。为了避免错误数据进入锁存器，在地址线变化时应将使能(G)保持高电平（非激活）。在8线解复用模式下，指定输出相对于D输入反相，所有其他输出为高电平。在清除模式下，所有输出均为高电平，并且不受地址和数据输入的影响。

提供了单独的电源地(PGND)和逻辑地(LGND)端子，以实现最大系统灵活性。所有PGND端子内部连接，每个PGND端子必须外部连接到电源系统的地，以最小化寄生阻抗。LGND与PGND之间必须以减少逻辑电路和负载电路之间串扰的方式进行单点外部连接。

TPIC6A259提供热增强型双列直插(NE)封装和宽体表面贴装(DW)封装。TPIC6A259的工作壳体温度范围为-40°C至125°C。