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SPP07N60C3
1个N沟道 耐压:650V 电流:7.3A
- 描述
- N沟道,650V,7.3A,0.6Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPP07N60C3
- 商品编号
- C168881
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.64克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 600mΩ@10V,4.6A | |
| 耗散功率(Pd) | 83W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 27nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 790pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 260pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 超低栅极电荷
- 具备周期性雪崩额定值
- 具备极高的dv/dt额定值
- 高脉冲电流能力
- 改善的跨导
- PG - TO - 220 - 3 - 31；- 3 - 111：全隔离封装（2500 VAC；1分钟）
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准
- 针对目标应用通过JEDEC认证