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IRF7413ZTRPBF
1个N沟道 耐压:30V 电流:13A 停产
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- 描述
- 特性：超低栅极阻抗。 极低的导通电阻RDS(on)。 完全表征的雪崩电压和电流。 100%测试栅极电阻RG。 无铅。应用：笔记本处理器电源控制场效应管。 计算、网络和电信系统中显卡和负载点转换器的控制和同步整流MOSFET
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7413ZTRPBF
- 商品编号
- C168887
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.25V@25uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.21nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - |
商品特性
- 超低栅极阻抗
- 极低的导通电阻RDS(on)
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 100%测试栅极电阻RG
- 无铅
应用领域
- 笔记本处理器电源控制场效应管
- 计算机、网络和电信系统中显卡及负载点（POL）转换器的控制和同步整流MOSFET