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IRF7907TRPBF
2个N沟道 耐压:30V 电流:11A
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- 描述
- 特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。 低栅极电荷。 完全表征的雪崩电压和电流。 最大栅极额定值20V VGS。 改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点 (POL) 转换器用双SO-8 MOSFET
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7907TRPBF
- 商品编号
- C168886
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.275克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20.5mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.35V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 21nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 850pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 88pF@15V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 在4.5V VGS下具有极低的RDS(on)
- 低栅极电荷
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 最大栅极额定电压VGS为20V
- 改善了体二极管反向恢复特性
- 100%测试RG
- 无铅
应用领域
- 用于笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点（POL）转换器的双SO-8 MOSFET