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SPD02N80C3
1个N沟道 耐压:800V 电流:2A
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- 描述
- N沟道,800V,2A,2.7Ω@10V
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- SPD02N80C3
- 商品编号
- C168884
- 商品封装
- TO-252-2(DPAK)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.481克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,1.2A | |
| 耗散功率(Pd) | 42W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.9V@0.12mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 16nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 290pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品特性
- 全新革命性高压技术
- 极高的dv/dt额定值
- 高脉冲电流能力
- 针对目标应用通过JEDEC认证
- 无铅引脚镀层；符合RoHS标准；采用无卤模塑料
- 超低栅极电荷
- 超低有效电容
应用领域
- 高直流母线电压的工业应用-开关应用(如有源钳位正激电路)