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FDS6574A
1个N沟道 耐压:20V 电流:16A
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- 描述
- N沟道,20V,16A,6mΩ@4.5V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDS6574A
- 商品编号
- C154561
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.207克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 16A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9mΩ@1.8V,13A | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 105nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.657nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 775pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.432nF |
商品概述
这款N沟道MOSFET专为提高使用同步或传统开关PWM控制器的DC/DC转换器的整体效率而设计。它针对低栅极电荷、低漏源导通电阻和快速开关速度进行了优化。
商品特性
- 栅源电压为6 V时，漏源导通电阻 = 475 mΩ
- 1.4 A、150 V，栅源电压为10 V时，漏源导通电阻 = 425 mΩ
- 采用高性能沟槽技术，实现极低的漏源导通电阻
- 低栅极电荷（典型值为8 nC）
- 高功率和电流处理能力
- 快速开关速度
应用领域
- DC/DC转换器