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SI4378DY-T1-GE3
停产 1个N沟道 耐压:20V 电流:19A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4378DY-T1-GE3
- 商品编号
- C141586
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.2mΩ@2.5V,22A | |
| 耗散功率(Pd) | 3.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 8.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 650pF | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.25nF |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 采用高密度 TrenchFET 第二代功率 MOSFET 技术，实现超低导通电阻
- 栅极电荷 (Qg) 优化
- 100% 进行栅极电阻 (Rg) 测试
应用领域
- 同步整流-负载点
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