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SI4925BDY-T1-E3
2个P沟道 耐压:30V 电流:7.1A
- 描述
- 特性：符合 IEC 61249-2-21 定义的无卤。 TrenchFET 功率 MOSFET。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC。应用：负载开关。 笔记本电脑
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4925BDY-T1-E3
- 商品编号
- C141531
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 7.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@4.5V,5.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 50 个)个
起订量：50 个2500个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交0单
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