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SI4931DY-T1-GE3
2个P沟道 耐压:12V 电流:6.7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4931DY-T1-GE3
- 商品编号
- C141562
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@4.5V,8.9A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 52nC@4.5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
售价
折合1圆盘
1+￥5.91
10+￥5.79
30+￥5.71
100+￥5.62￥14050
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总价金额：
￥ 0.00近期成交1单
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