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SI4931DY-T1-E3实物图
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SI4931DY-T1-E3

2个P沟道 耐压:12V 电流:8.9A

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描述
特性：无卤，符合IEC 61249-2-21定义。 TrenchFET功率MOSFET。 先进的高单元密度工艺。 符合RoHS指令2002/95/EC。应用：负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI4931DY-T1-E3
商品编号
C141563
商品封装
SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.245克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)12V
连续漏极电流(Id)8.9A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@1.8V,3.6A
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))1V@350uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)52nC@4.5V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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