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SI5442DU-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:25A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 热增强型PowerPAk ChipFET封装。 小尺寸。 低导通电阻。 0.8mm薄型。 100% Rg测试。应用：负载开关。 PA开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI5442DU-T1-GE3
- 商品编号
- C141577
- 商品封装
- SMD
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13.5mΩ@1.8V,4A | |
| 耗散功率(Pd) | 20W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@8V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 115pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 280pF |
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