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SI7113DN-T1-GE3实物图
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SI7113DN-T1-GE3

1个P沟道 耐压:100V 电流:13.2A 停产

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性：提供无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。 低热阻PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07mm。 经过UIS和Rg测试。应用：中间直流/直流电源中的有源钳位
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7113DN-T1-GE3
商品编号
C141583
商品封装
PowerPAK1212-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.176克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)13.2A
导通电阻(RDS(on))145mΩ@4.5V,3A
耗散功率(Pd)52W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)16.5nC@10V
输入电容(Ciss)1.48nF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-50℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)80pF

数据手册PDF

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