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SI7113DN-T1-GE3

1个P沟道耐压:100V 电流:13.2A 停产

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描述: 特性：提供无卤选项。 TrenchFET功率MOSFET。低热阻PowerPAK封装，尺寸小，高度仅1.07mm。经过UIS和Rg测试。应用：中间直流/直流电源中的有源钳位
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI7113DN-T1-GE3
商品编号: C141583
商品封装: PowerPAK1212-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.176克(g)

商品参数

商品概述

P沟道100 V（D-S）MOSFET，采用PowerPAK 1212-8封装。PowerPAK 1212-8是PowerPAK SO-8的衍生产品，采用相同封装技术，可最大化芯片面积。芯片附着垫底部外露，能为安装设备的基板提供直接、低电阻的热路径。该封装尺寸小，热性能与PowerPAK SO-8相当，适用于空间受限的应用。其占地面积与TSOP-6相当，比标准TSSOP-8小40%以上，芯片容量是标准TSOP-6的两倍多，热性能比SO-8好一个数量级，比TSSOP-8好20倍，可利用任何PC板散热器能力，与TSSOP-8相比，可降低结温，使芯片效率提高约20%。单双版本的PowerPAK 1212-8与单双PowerPAK SO-8引脚输出相同，1.05 mm的低高度使其适用于空间受限的应用。

商品特性

提供无卤选项
TrenchFET功率MOSFET
低热阻、小尺寸、低外形（1.07 mm）的PowerPAK封装
经过UIS和Rg测试

应用领域

中间DC/DC电源中的有源钳位

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	13.2A
	导通电阻(RDS(on))	145mΩ@4.5V,3A
	耗散功率(Pd)	52W
	阈值电压(Vgs(th))	3V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	16.5nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.48nF
	反向传输电容(Crss)	60pF
	工作温度	-50℃~+150℃
	类型	P沟道
	输出电容(Coss)	80pF