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SQD40P10-40L_GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SQD40P10-40L_GE3

1个P沟道 耐压:100V 电流:38A

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描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。 TrenchFET 功率 MOSFET。 低热阻封装。 通过 AEC-Q101 认证。 100% Rg 和 USI 测试。 符合 RoHS 指令 2002/95/EC
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQD40P10-40L_GE3
商品编号
C141570
商品封装
TO-252​
包装方式
编带
商品毛重
0.528克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)38A
导通电阻(RDS(on))48mΩ@4.5V,7.7A
耗散功率(Pd)136W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)96nC@10V
输入电容(Ciss)4.433nF
反向传输电容(Crss)208pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型P沟道
输出电容(Coss)301pF

数据手册PDF

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