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IRLD024PBF
1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A
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- 描述
- 第三代功率MOSFET提供了快速开关、坚固的器件设计、低导通电阻和成本效益的最佳组合。4引脚DIP封装是一种低成本的机器可插入式外壳样式，可在标准0.1英寸引脚中心以多种组合方式堆叠。双漏极作为与安装表面的热连接，用于高达1W的功率耗散水平。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- IRLD024PBF
- 商品编号
- C141564
- 商品封装
- HVMDIP-4
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.298克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 140mΩ@4V,1.3A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 18nC@5V | |
| 输入电容(Ciss) | 870pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 53pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 360pF |
优惠活动
购买数量
(100个/管，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个100个/管
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