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SIRA00DP-T1-GE3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIRA00DP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
特性：TrenchFET Gen IV Power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：同步整流。 ORing
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIRA00DP-T1-GE3
商品编号
C141540
商品封装
PowerPAK-SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.131克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))1.35mΩ@4.5V,15A
耗散功率(Pd)104W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)220nC@10V
输入电容(Ciss)11.7nF
反向传输电容(Crss)360pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)3.32nF

数据手册PDF

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