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SIRA00DP-T1-GE3

1个N沟道耐压:30V 电流:100A

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描述: 特性：TrenchFET Gen IV Power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。应用：同步整流。 ORing
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIRA00DP-T1-GE3
商品编号: C141540
商品封装: PowerPAK-SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.131克(g)

商品参数

商品概述

N沟道30 V（D - S）MOSFET。PowerPAK是围绕SO - 8封装开发的新型封装技术，PowerPAK SO - 8与标准SO - 8具有相同的占位面积和引脚输出，可直接替代标准SO - 8封装。作为无引脚封装，它利用整个SO - 8占位面积，能容纳比标准SO - 8更大的芯片，芯片底部的散热垫暴露，以提供直接的低电阻热路径至安装的基板，且封装高度低于标准SO - 8，适用于空间受限的应用。

商品特性

第四代沟道型场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
100%进行Rq和UIS测试

应用领域

同步整流
或门二极管功能
高功率密度DC/DC
电压调节模块(VRMs)和嵌入式DC/DC

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	100A
	导通电阻(RDS(on))	1.35mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	104W
	阈值电压(Vgs(th))	2.2V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	220nC@10V
	输入电容(Ciss)	11.7nF
	反向传输电容(Crss)	360pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	3.32nF