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SI5936DU-T1-GE3实物图
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SI5936DU-T1-GE3

2个N沟道 耐压:30V 电流:6A

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描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。热增强型PowerPAK ChipFET封装。小尺寸。低导通电阻。0.8mm薄型。100% Rg测试。应用：网络系统电源DC/DC
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI5936DU-T1-GE3
商品编号
C141554
商品封装
SMD​
包装方式
编带
商品毛重
0.116克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)6A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V,6A
耗散功率(Pd)10.4W
阈值电压(Vgs(th))2.2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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