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SI7465DP-T1-E3实物图
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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI7465DP-T1-E3

1个P沟道 耐压:60V 电流:5A

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描述
特性：TrenchFET Power MOSFET。 新型低热阻PowerPAK封装，高度仅1.07 mm
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7465DP-T1-E3
商品编号
C141555
商品封装
PowerPAKSO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.131克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@4.5V,4.5A
耗散功率(Pd)940mW
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)26nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)-

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