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SI7456DP-T1-GE3实物图
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SI7456DP-T1-GE3

1个N沟道 耐压:100V 电流:9.3A

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描述
特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 新型低热阻 PowerPAK 封装，高度仅 1.07 mm。 PWM 优化，实现快速开关。 100% 进行 Rg 测试。应用：高密度 DC/DC 初级侧开关。 电信/服务器 48 V 全/半桥 DC/DC
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI7456DP-T1-GE3
商品编号
C141541
商品封装
PowerPAK-SO-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.131克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)9.3A
导通电阻(RDS(on))28mΩ@6V,8.8A
耗散功率(Pd)5.2W
阈值电压(Vgs(th))4V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)44nC@10V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
工作温度-
类型N沟道
输出电容(Coss)-

数据手册PDF

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