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SI2369DS-T1-GE3实物图
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SI2369DS-T1-GE3

1个P沟道 耐压:30V 电流:7.6A

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描述
特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 材料分类：有关合规性定义，请参阅相关文档。应用：移动计算。 负载开关
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI2369DS-T1-GE3
商品编号
C141546
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)7.6A
导通电阻(RDS(on))40mΩ@4.5V,6.5A
耗散功率(Pd)2.5W
阈值电压(Vgs(th))2.5V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)11.4nC@10V
输入电容(Ciss)1.295nF
反向传输电容(Crss)130pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道
输出电容(Coss)150pF

数据手册PDF

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