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SI3865DDV-T1-GE3

带电平转换功能的负载开关

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描述: Si3865DDV 在单个 TSOP - 6 封装中集成了一个 p 沟道和一个 n 沟道 MOSFET。低导通电阻的 p 沟道 TrenchFET 专为用作负载开关而设计。n 沟道搭配一个外部电阻，可作为电平转换器来驱动 p 沟道负载开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI3865DDV-T1-GE3
商品编号: C141534
商品封装: TSOP-6-1.5mm
包装方式: 编带
商品毛重: 0.07克(g)

商品参数

商品概述

Si3865DDV 在单个 TSOP-6 封装中包含一个 P 沟道和 N 沟道 MOSFET。低导通电阻的 P 沟道 TrenchFET 适用于用作负载开关。N 沟道 MOSFET 可以通过外部电阻用作电平移位来驱动 P 沟道负载开关。N 沟道 MOSFET 具有内部 ESD 保护，并且可以由低至 1.8 V 的逻辑信号驱动。Si3865DDV 可在 1.5 V 至 12 V 的电源线上工作，能够驱动高达 2.8 A 的负载。

应用领域

具有电平转换门驱动的负载开关
斜率控制
移动/消费类设备

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	属性	参数值
	商品目录	功率电子开关
	类型	高侧开关
	通道数	1
	输入控制逻辑	高电平有效

	属性	参数值
	最大连续电流	2.8A
	工作电压	1.5V~12V
	导通电阻	45mΩ
	工作温度	-55℃~+150℃