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SI4896DY-T1-E3
1个N沟道 耐压:80V 电流:6.7A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4896DY-T1-E3
- 商品编号
- C141532
- 商品封装
- SOIC-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@6V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 沟槽式场效应管功率MOSFET
- 符合RoHS指令2002/95/EC
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- SIRA00DP-T1-GE3
- SI7456DP-T1-GE3
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- IRFR9020TRPBF
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- TPN1R603PL,L1Q
- CRS08(TE85L,Q,M)
- NTHS0402N01N1003JE
- TPH3R704PL,L1Q
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