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PCB/SMT 工业品

SI1026X-T1-GE3实物图

温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SI1026X-T1-GE3

2个N沟道耐压:60V 电流:320mA 停产

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描述: 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。低导通电阻：1.40 Ω。低阈值：2 V（典型值）。低输入电容：30 pF。快速开关速度：15 ns（典型值）。低输入和输出泄漏。应用：驱动器：继电器、螺线管、灯、锤子、显示器、存储器、晶体管等。电池供电系统
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI1026X-T1-GE3
商品编号: C141536
商品封装: SC-89
包装方式: 编带
商品毛重: 0.11克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	2个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	320mA
	导通电阻(RDS(on))	2.5Ω@10V,500mA
	耗散功率(Pd)	450mW
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V@0.25mA

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