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SI1539CDL-T1-GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SI1539CDL-T1-GE3

1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:0.7A

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描述
这些新型器件适用于小信号应用,此类应用需要采用小型化封装,且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流(约250 mA)。全新的6引脚SC - 70封装可改善导通电阻值并提升热性能。
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SI1539CDL-T1-GE3
商品编号
C141530
商品封装
SC-70-6(SOT-363)​
包装方式
编带
商品毛重
0.05克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)700mA
导通电阻(RDS(on))1.7Ω@4.5V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)1.5nC@10V
输入电容(Ciss)34pF
反向传输电容(Crss)7pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)12pF

商品概述

这些新型器件适用于小信号应用,此类应用需要小型化封装,且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流(约250 mA)。新型6引脚SC-70封装可改善导通电阻值并增强热性能。

商品特性

  • 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
  • 沟道型功率MOSFET
  • 100%进行Rg测试

应用领域

  • DC/DC转换器
  • 负载开关

数据手册PDF