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SI1539CDL-T1-GE3
1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:0.7A
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- 描述
- 这些新型器件适用于小信号应用，此类应用需要采用小型化封装，且需要直接或通过电平转换配置来切换低电流（约250 mA）。全新的6引脚SC - 70封装可改善导通电阻值并提升热性能。
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI1539CDL-T1-GE3
- 商品编号
- C141530
- 商品封装
- SC-70-6(SOT-363)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.05克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 700mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.7Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 34pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 12pF |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个3000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交21单
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