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SI2312BDS-T1-E3
1个N沟道 耐压:20V 电流:5A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 定义。TrenchFET 功率 MOSFET。100% RH 测试。符合 RoHS 指令 2002/95/EC
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2312BDS-T1-E3
- 商品编号
- C141520
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 47mΩ@1.8V,4.1A | |
| 耗散功率(Pd) | 480mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 850mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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