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SI2325DS-T1-E3
1个P沟道 耐压:150V 电流:0.69A
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- 描述
- 特性：无卤，符合 IEC 61249-2-21 标准。 TrenchFET 功率 MOSFET。 超低导通电阻。 小尺寸。应用：DC/DC 电源中的有源钳位电路
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI2325DS-T1-E3
- 商品编号
- C141514
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 690mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.3Ω@6V,0.66A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@0.25mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.7nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 510pF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
总价金额：
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