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CSD18563Q5AT
1个N沟道 耐压:60V 电流:100A
- 描述
- CSD18563Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、60V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD18563Q5AT
- 商品编号
- C140227
- 商品封装
- SON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.372克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10.8mΩ@4.5V,18A | |
| 耗散功率(Pd) | 116W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品概述
这款采用 5 mm × 6 mm SON 封装的 5.7 mΩ、60V NexFET 功率 MOSFET 用于与 CSD18537NQ5A 控制 FET 配对并充当完整工业降压转换器芯片组解决方案的同步 FET。
商品特性
- 超低 Qg 和 Qgd
- 采用软体二极管以降低振铃效应
- 低热阻
- 雪崩额定值
- 逻辑电平
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 无卤素
- 小外形尺寸无引线 (SON) 5 mm x 6 mm 塑料封装
应用领域
- 适用于工业降压转换器的低侧 FET
- 次级侧同步整流器
- 电机控制