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STW42N65M5

1个N沟道耐压:650V 电流:33A

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描述: N沟道650 V、0.070 Ohm典型值、33 A MDmesh M5功率MOSFET，TO-247封装
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STW42N65M5
商品编号: C10620
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 6.501克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：650V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：33A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：79 毫欧 @ 16.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：100nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：4650pF @ 100V
功率 - 最大值：190W
工作温度：150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-247-3
供应商器件封装：TO-247-3

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	33A
	导通电阻(RDS(on))	79mΩ@10V,16.5A
	耗散功率(Pd)	190W
	阈值电压(Vgs(th))	5V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	100nC@10V
	输入电容(Ciss)	4.65nF
	反向传输电容(Crss)	3.2pF
	工作温度	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	110pF