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STP55NF06

1个N沟道耐压:60V 电流:50A

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描述: N沟道,60V,50A,15mΩ@10V
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STP55NF06
商品编号: C10657
商品封装: TO-220
包装方式: 管装
商品毛重: 2.74克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：60V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：50A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18 毫欧 @ 27.5A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：60nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：1300pF @ 25V
功率 - 最大值：110W
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	60V
	连续漏极电流(Id)	50A
	导通电阻(RDS(on))	18mΩ@10V,27.5A
	耗散功率(Pd)	110W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	60nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.53nF
	反向传输电容(Crss)	105pF
	工作温度	-
	配置	-
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	300pF