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STP55NF06
1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
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- 描述
- N沟道,60V,50A,15mΩ@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP55NF06
- 商品编号
- C10657
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.53nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 300pF |
商品概述
这款功率MOSFET是基于独特的“单一特征尺寸™”条形工艺的最新研发成果。由此制成的晶体管具有极高的封装密度，可实现低导通电阻、出色的雪崩特性，且对准步骤要求较低，因此具备卓越的制造可重复性。
商品特性
- 典型RDS(ON) = 0.015 Ω
- 卓越的dv/dt能力
- 100%经过雪崩测试
- 表面贴装D2PAK (TO-263)功率封装,采用管装(无后缀)或卷带装(后缀“T4”)
- 通孔I2PAK (TO-262)功率封装,采用管装(后缀“-1”)
应用领域
- 高电流、高开关速度
- 电机控制、音频放大器
- DC-DC和DC-AC转换器
- 汽车应用
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