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STP5NK80Z
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.3A
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- 描述
- N沟道,800V,4.3A,1.9Ω@10V
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP5NK80Z
- 商品编号
- C10631
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.4Ω@10V,2.15A | |
| 耗散功率(Pd) | 110W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 910pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 98pF |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：45.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：910pF @ 25V
功率 - 最大值：110W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：800V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：4.3A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 100μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：45.5nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：910pF @ 25V
功率 - 最大值：110W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
供应商器件封装：TO-220AB
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