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STP4NK50ZD
1个N沟道 耐压:500V 电流:3A
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- 描述
- N沟道,500V,3A,2.4Ω@10V (备注：原本这个料的型号是STP4NK50Z）
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STP4NK50ZD
- 商品编号
- C10647
- 商品封装
- TO-220
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.74克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.7Ω@10V,1.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 45W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4.5V@50uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 12nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 310pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 49pF |
商品概述
快速SuperMESH™系列结合了低导通电阻、齐纳栅极保护和出色的dc/dt能力等优点，还配备了快速体-漏恢复二极管。该系列完善了FDMesh™先进技术。
商品特性
- 100%雪崩测试
- 极高的dv/dt能力
- 栅极电荷最小化
- 极低的本征电容
- 出色的制造重复性
应用领域
- 开关应用