STF10NM60N
1个N沟道 耐压:650V 电流:10A
- SMT扩展库
- 嘉立创SMT补贴
描述
N沟道,600V,10A,550mΩ@10V
- 品牌名称ST(意法半导体)
商品型号
STF10NM60N商品编号
C10650商品封装
TO-220F-3包装方式
管装
商品毛重
2.6克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 650V | |
连续漏极电流(Id) | 10A | |
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 550mΩ@10V,4A | |
功率(Pd) | 25W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
栅极电荷(Qg@Vgs) | 19nC@480V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 540pF@50V | |
反向传输电容(Crss@Vds) | 1.2pF@50V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 50V
功率 - 最大值:25W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP
FET 功能:标准
漏源极电压(Vdss):600V
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Tc)
不同?Id,Vgs 时的?Rds On(最大值):550 毫欧 @ 4A,10V
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg):19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容(Ciss):540pF @ 50V
功率 - 最大值:25W
工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-220-3 整包
供应商器件封装:TO-220FP
梯度价格
嘉立创贴片惊喜价格立即查看
梯度
折扣价
原价
折合1管
1+¥6.54
10+¥5.92
30+¥5.022¥5.58¥279
100+¥4.68¥5.2¥260
500+¥4.527¥5.03¥251.5
1000+¥4.455¥4.95¥247.5
优惠活动
库存总量
(单位:个)广东仓
1,733
江苏仓
7
SMT仓
1,733
购买数量(50个/管,最小起订量 1 个 )
个
起订量:1 个50个/管
近期成交2单
精选推荐