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STF10NM60N

1个N沟道耐压:650V 电流:10A

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描述: N沟道,600V,10A,550mΩ@10V
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: STF10NM60N
商品编号: C10650
商品封装: TO-220FP
包装方式: 管装
商品毛重: 2.6克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：600V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：10A（Tc）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：550 毫欧 @ 4A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：19nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：540pF @ 50V
功率 - 最大值：25W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3 整包
供应商器件封装：TO-220FP

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	650V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	550mΩ@10V,4A
	耗散功率(Pd)	25W
	阈值电压(Vgs(th))	4V@250uA

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	-
	输入电容(Ciss)	540pF
	反向传输电容(Crss)	1.2pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	44pF