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STGW20NC60VD
N沟道，30A-600V，TO-247封装，快速功率MESH IGBT
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- 描述
- 采用基于专利条形布局的最新高压技术，推出了一系列性能卓越的先进 IGBT 产品——PowerMESH™ IGBT。后缀 “V” 表示该系列产品针对高频应用进行了优化。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW20NC60VD
- 商品编号
- C10646
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.501克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 集电极脉冲电流(Icm) | 100A | |
| 集电极截止电流(Ices) | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.2nF | |
| 输出电容(Coes) | 225pF | |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 31ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 100ns | |
| 导通损耗(Eon) | 220uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 330uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 44ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
PowerMESH™ IGBT系列采用基于专利条形布局的最新高压技术，后缀“V”标识针对高频应用优化的系列。该产品封装类型为TO-247，重量为4.41克±0.01克，最大夹压力为150牛/平方毫米。
商品特性
- 关断损耗包含尾电流
- 损耗包含二极管恢复能量
- 高电流能力
- 高频工作频率可达50kHz
- 极软超快恢复反并联二极管
- 较低的CRES/CIES比值
- 新一代产品，参数分布更紧密
应用领域
- 高频逆变器
- 硬开关和谐振拓扑中的开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）
- 不间断电源（UPS）
- 电机驱动器