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STGW20NC60VD
N沟道，30A-600V，TO-247封装，快速功率MESH IGBT
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- 描述
- 采用基于专利条形布局的最新高压技术，推出了一系列性能卓越的先进 IGBT 产品——PowerMESH™ IGBT。后缀 “V” 表示该系列产品针对高频应用进行了优化。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STGW20NC60VD
- 商品编号
- C10646
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.501克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | IGBT管/模块 | |
| IGBT类型 | - | |
| 集射极击穿电压(Vces) | 600V | |
| 集电极电流(Ic) | 60A | |
| 耗散功率(Pd) | 200W | |
| 输出电容(Coes) | 225pF | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 2.5V@20A,15V | |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 3.75V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@15V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Cies) | 2.2nF | |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 31ns | |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 100ns | |
| 导通损耗(Eon) | 220uJ | |
| 关断损耗(Eoff) | 330uJ | |
| 反向恢复时间(Trr) | 44ns | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 反向传输电容(Cres) | 50pF |