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商品参数
参数完善中
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用安森美半导体(onsemi)专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过特别设计,可降低导通电阻,并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、有源功率因数校正(PFC)和电子灯镇流器。
商品特性
- 1.6 A、1000 V,RDS(on) = 9 Ω(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 0.8 A
- 低栅极电荷(典型值12 nC)
- 低Crss(典型值5 pF)
- 100%经过雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤,符合RoHS标准
应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正(PFC)
- 电子灯镇流器