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FQU10N20CTU
FQU10N20CTU
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQU10N20CTU
- 商品编号
- C896092
- 商品封装
- TO-251-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 7.8A | |
| 耗散功率(Pd) | 50W |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用专有平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关电源、有源功率因数校正（PFC）和电子镇流器。
商品特性
- 1.0 A、800 V，RDS（on） = 20 Ω（最大值）@ VGS = 10 V，ID = 0.5 A
- 低栅极电荷（典型值5.5 nC）
- 低Crss（典型值2.7 pF）
- 100%雪崩测试
应用领域
- 开关电源-有源功率因数校正(PFC)-电子镇流器