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EFC4K105NUZTDG实物图
  • EFC4K105NUZTDG商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

EFC4K105NUZTDG

2个N沟道 耐压:22V 电流:25A

品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
EFC4K105NUZTDG
商品编号
C895364
商品封装
WLCSP-10(2x3.4)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个N沟道
漏源电压(Vdss)22V
连续漏极电流(Id)25A
导通电阻(RDS(on))3.55mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)2.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)43nC@3.8V
输入电容(Ciss)-
反向传输电容(Crss)-
配置共漏

商品概述

这款功率MOSFET具有低导通电阻特性。该器件适用于便携式设备的电源开关等应用。最适合单节锂离子电池应用。

商品特性

  • 2.5 V驱动
  • 共漏极类型
  • 带ESD二极管保护的栅极
  • 该器件无铅、无卤素且符合RoHS标准

应用领域

  • 1 - 2节锂离子电池充放电开关

数据手册PDF