- 引脚图
- 焊盘图
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NSVTB60BDW1T1G
NSVTB60BDW1T1G
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NSVTB60BDW1T1G
- 商品编号
- C893990
- 商品封装
- SC-88-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.494克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | 1个NPN-预偏置,1个PNP | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 直流电流增益(hFE) | 80 | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 5V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大输入电压(VI(off)) | - | |
| 输出电压(VO(on)) | - | |
| 输入电阻 | 28.6kΩ | |
| 电阻比率 | 2.55 | |
| 工作温度 | - | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 500mV | |
| 特征频率(fT) | 140MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 0.1uA |
商品特性
- 简化电路设计
- 减少电路板空间
- 减少元件数量
- ESD 等级——人体模型：1B 类
- 机器模型：B 类
- NSV 前缀适用于汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用；符合 AEC - Q101 标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂（BFR），且符合 RoHS 标准