VBQA2208M
1个P沟道 耐压:200V
描述
DFN8(5X6);P—Channel沟道,-200V;-6A;RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V;Vth=-2~-4V;
- 品牌名称VBsemi(微碧半导体)
商品型号
VBQA2208M商品编号
C7541171商品封装
DFN-8(5x6)包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 1个P沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 200V | |
连续漏极电流(Id) | - | |
导通电阻(RDS(on)) | - | |
耗散功率(Pd) | 125W |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
阈值电压(Vgs(th)) | - | |
栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
输入电容(Ciss@Vds) | 1.2nF@25V | |
反向传输电容(Crss) | 81pF@25V | |
工作温度 | -55℃~+150℃ |
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