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VBQA2208M
1个P沟道 耐压:200V
- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-200V；-6A；RDS(ON)=800mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-2~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA2208M
- 商品编号
- C7541171
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.12克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 500mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 125W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
SI3139KE-TP-ES 是 P 沟道增强型 MOS 场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻 RDS(ON)。该器件适用于 DC-DC 转换、电源开关和充电电路。标准产品 SI3139KE-TP-ES 为无铅产品。
商品特性
- 20V，RDS(ON) = 580 mΩ（典型值），VGS = -4.5 V
- RDS(ON) = 855 mΩ（典型值），VGS = -2.5 V
- RDS(ON) = 1350 mΩ（典型值），VGS = -1.8 V
- 采用沟槽 MOSFET 技术
- 高密度单元设计，实现低导通电阻 RDS(on)
- 材料：无卤素
- 可靠耐用
- 具备雪崩额定值
- 低泄漏电流
应用领域
- PWM 应用
- 负载开关
- 便携式/台式 PC 的电源管理
- DC/DC 转换