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VBQA2101M
1个P沟道 耐压:100V 电流:20A
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- 描述
- DFN5X6；P—Channel沟道,-100V；-20A；RDS(ON)=75mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA2101M
- 商品编号
- C7541169
- 商品封装
- DFN-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.13克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 75mΩ@10V；80mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6.6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 76nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 290pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 390pF |
商品特性
- 先进沟槽 MOS 技术
- 超低栅极电荷
- 出色的 CdV/dt 效应抑制能力
- 100% 保证抗雪崩能力
- 提供环保型器件
应用领域
- 电机控制-DC/DC 转换器-同步整流应用