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VBQF4338
2个P沟道 耐压:20V
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款双P+P型功率MOSFET，采用了Trench技术，适用于需要高效功率控制的电路和模块。DFN8(3X3)；2个P—Channel沟道,-30V；-6.4A；RDS(ON)=38mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF4338
- 商品编号
- C7541170
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.08克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@10V；60mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
先进功率MOSFET为设计师提供了快速开关、耐用器件设计、低导通电阻和高性价比的最佳组合。 SO-8封装在所有商业-工业表面贴装应用中广受欢迎，适用于如DC/DC转换器等低压应用。
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽功率 MOSFET
- 新型低热阻封装
应用领域
- 便携式设备
- 电池开关
- 负载开关