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VBA2101M
1个P沟道 耐压:100V 电流:4.5A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单路P型金属氧化物半导体场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于各种电子应用领域。SOP8；P—Channel沟道,-100V；-4.5A；RDS(ON)=110mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.1~-2.6V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBA2101M
- 商品编号
- C7541168
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.37克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@10V；155mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 10.9nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 515pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 10pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 162pF |
商品特性
- 先进沟槽MOS技术
- 低栅极电荷
- 100%进行EAS测试
- 有环保型器件可选
应用领域
- 台式计算机电源管理-DC/DC转换器