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SI4800BDY-T1-GE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
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- 描述
- N沟道,30V,9A,18.5mΩ@10V
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SI4800BDY-T1-GE3
- 商品编号
- C7617
- 商品封装
- SO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.245克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 18.5mΩ@10V,9A | |
| 耗散功率(Pd) | 1.3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.7pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 3.5pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 符合 IEC 61249-2-21 标准的无卤产品
- 沟槽式场效应功率 MOSFET
- 针对高效 PWM 进行优化
- 经过 100% 非钳位感性开关（UIS）和栅极电阻（Rg）测试
- N 沟道 MOSFET