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SI4800BDY-T1-GE3

1个N沟道耐压:30V 电流:9A

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描述: N沟道,30V,9A,18.5mΩ@10V
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SI4800BDY-T1-GE3
商品编号: C7617
商品封装: SO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.245克(g)

商品参数

FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：30V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：6.5A（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：18.5 毫欧 @ 9A，10V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1.8V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：13nC @ 5V
功率 - 最大值：1.3W
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：8-SO

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	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	9A
	导通电阻(RDS(on))	18.5mΩ@10V,9A
	耗散功率(Pd)	1.3W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.8V
	栅极电荷量(Qg)	13nC@10V
	输入电容(Ciss)	8.7pF@10V
	反向传输电容(Crss)	3.5pF@10V
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道