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SIA4265EDJ-T1-GE3
20V 6A
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- 描述
- 特性：TrenchFET功率MOSFET。 100% Rg测试。 热增强型PowerPAK SC-70封装。 小尺寸。 低导通电阻。 典型ESD保护：3000 V（HBM）。应用：便携式和消费类产品的电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIA4265EDJ-T1-GE3
- 商品编号
- C7011010
- 商品封装
- PowerPAKSC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6A | |
| 耗散功率(Pd) | 10W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 400mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 13.8nC@4.5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 130pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg测试
- 热增强型PowerPAK SC-70封装
- 占用面积小
- 低导通电阻
- 典型ESD保护:3000 V(HBM)
应用领域
-便携式设备和消费电子产品的电源管理-负载开关-电池开关-充电器开关
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