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SIDR500EP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:30V 电流:94A 电流:421A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR500EP-T1-RE3
- 商品编号
- C7011020
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.33克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 421A；94A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.47mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 7.5W；150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 180nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 8.96nF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 极低的RDS × Qg品质因数(FOM)
- 凭借极低的RDS(on)和散热增强型紧凑型封装,实现更高的功率密度
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 负载点(POL)
- 同步整流
- 电源和负载开关
- 电池管理
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