SIDR610DP-T1-RE3
1个N沟道 耐压:200V 电流:8.9A 电流:39.6A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIDR610DP-T1-RE3
- 商品编号
- C7011022
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 8.9A；39.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 31.9mΩ@10V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 6.25W；125W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.38nF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 11pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个3000个/圆盘
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