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SIB4317EDK-T1-GE3
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.5A 电流:4.3A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIB4317EDK-T1-GE3
- 商品编号
- C7011012
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A；4.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 10W；1.95W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 600mV | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 600pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 热增强型PowerPAK SC-75封装
- 占用面积小
- 导通电阻低
- 厚度仅0.75 mm
- 典型ESD保护(MOSFET):1500 V(HBM)
- 100%进行Rg测试
- 材料分类:有关合规性定义,请参阅www.vishay.com/doc?99912
应用领域
- 便携式设备,如智能手机、平板电脑和移动计算机
- 电池充电器开关
- 降压转换器
- 电源管理
- 负载开关
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