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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@10V,13.5A | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 60nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.13nF@50V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12.5pF@50V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
HXY12N65F可用于各种功率开关电路，以实现系统小型化和更高效率。其封装形式为TO - 220F，符合RoHS标准。
商品特性
- VDS = 650 V，ID = 12 A
- 在VGS = 10V时，RDS(ON) < 0.8Ω
应用领域
- 适配器和充电器的功率开关电路。