- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 24A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 27.7W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.34nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
- 专有 \alpha\textMOS5^\textTM 技术
- 低RDS(ON)
- 优化开关参数以改善电磁干扰(EMI)性能
- 增强型体二极管,具备高可靠性和快速反向恢复能力
应用领域
- 采用功率因数校正(PFC)、反激和 LLC 拓扑的开关电源(SMPS)
- 采用直流/交流(DC/AC)逆变器拓扑的微型逆变器
- AOWF20S60
- AOWF25S65
- AOWF4S60
- FW-10-03-L-D-233-165
- FW-04-03-G-D-265-100
- FW-04-03-L-D-185-070
- FW-10-03-L-D-256-120-P-TR
- AMI-26B-20-6
- FW-04-03-L-D-285-095-A
- FW-10-03-L-D-275-100
- FW-04-04-F-D-160-130
- FW-10-03-L-D-280-120-A
- FW-04-04-F-D-170-200
- AOZ1380DI-01
- FW-04-04-G-D-215-130
- FW-10-03-L-D-320-075-P
- FW-04-04-G-D-610-100
- AOZ5166QI
- FW-04-04-L-D-325-090
- AOZ5316NQI
- FW-04-04-L-D-425-100