商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 199mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 19.8nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.038nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.1pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
AOW20S60和AOWF20S60采用先进的αMOS高压工艺制造,该工艺旨在为开关应用提供高性能和高可靠性。这些器件具有低导通电阻RDS(on)、低栅极电荷Qg和低输出电容EOSS,且具备有保证的雪崩能力,因此能快速应用于新的和现有的离线电源设计中。