- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 过温保护带迟滞；欠压锁定带迟滞；带使能 |
商品概述
AOZ5166QI是一款高效同步降压功率级模块，由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端（HS）MOSFET具有低电容和低栅极电荷，可实现低占空比操作下的快速开关。低端（LS）MOSFET具有超低的RDS(ON)，以最小化传导损耗。AOZ5166QI旨在通过使用PWM和DISB#输入与5V（CMOS）和三态输入兼容，以精确控制功率MOSFET的开关活动。该模块还具备多种特性，使其成为一款高度通用的功率模块。其自举电源二极管集成在驱动器中，LS MOSFET可在需要时进入二极管仿真模式以提供异步操作。引脚布局经过优化，可将寄生效应降至最低。
商品特性
- 完全符合英特尔DrMOS Rev 4.0规范
- 输入电压范围为4.5V至18V
- 驱动器电源范围为4.5V至5.5V
- 输出电流高达60A
- 高达1MHz的PWM操作
- 5V PWM / 三态输入兼容
- 欠压锁定保护
- 单引脚控制二极管仿真/CCM操作
- 6mm x 6mm QFN - 40L封装
应用领域
服务器、主板VRM、负载点DC/DC转换器、内存和显卡、视频游戏机