商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) | |
| 类型 | MOSFET | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 工作电压 | 4.5V~5.5V | |
| 高侧偏置电压(Vbs) | - | |
| 开关频率 | 1MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 隔离电压(Vrms) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - | |
| 静态电流(Iq) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 长度 | 6mm | |
| 宽度 | 6mm | |
| 功能特性 | 过温保护带迟滞;欠压锁定带迟滞;带使能 |
商品概述
AOZ5166QI是一款高效同步降压功率级模块,由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端(HS)MOSFET具有低电容和低栅极电荷,可实现低占空比操作下的快速开关。低端(LS)MOSFET具有超低的RDS(ON),以最小化传导损耗。AOZ5166QI旨在通过使用PWM和DISB#输入与5V(CMOS)和三态输入兼容,以精确控制功率MOSFET的开关活动。该模块还具备多种特性,使其成为一款高度通用的功率模块。其自举电源二极管集成在驱动器中,LS MOSFET可在需要时进入二极管仿真模式以提供异步操作。引脚布局经过优化,可将寄生效应降至最低。
商品特性
- 完全符合英特尔DrMOS Rev 4.0规范
- 输入电压范围为4.5V至18V
- 驱动器电源范围为4.5V至5.5V
- 输出电流高达60A
- 高达1MHz的PWM操作
- 5V PWM / 三态输入兼容
- 欠压锁定保护
- 单引脚控制二极管仿真/CCM操作
- 6mm x 6mm QFN - 40L封装
应用领域
服务器、主板VRM、负载点DC/DC转换器、内存和显卡、视频游戏机


