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AOZ5612BQI引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

AOZ5612BQI

AOZ5612BQI

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品牌名称
AOS
商品型号
AOZ5612BQI
商品编号
C6861023
商品封装
PowerVFQFN-31​
包装方式
编带
商品毛重
0.4625克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录智能功率模块(IPM)
属性参数值
功能特性欠压锁定带迟滞;热保护;带使能

商品概述

AOZ5612BQI是一款高效同步降压功率级模块,由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化,可实现低电容和栅极电荷,以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻,可将传导损耗降至最低。紧凑的5mm x 5mm QFN封装经过优化设计,可将寄生电感降至最低,从而减少电磁干扰。该模块使用PWM和/或SMOD#输入来精确控制功率MOSFET的开关活动,与3V逻辑兼容,并支持三态PWM。

商品特性

  • AOZ5612BQI由两个不对称MOSFET和集成驱动器组成,MOSFET针对同步降压配置单独优化
  • 高端MOSFET低电容、低栅极电荷,适合低占空比快速开关
  • 低端MOSFET超低导通电阻,最小化传导损耗
  • 5mm x 5mm QFN封装,最小化寄生电感和EMI
  • 使用PWM和/或SMOD#输入精确控制开关活动,兼容3V逻辑,支持三态PWM
  • 集成自举开关
  • 低端MOSFET可进入二极管仿真模式,改善轻载性能
  • 引脚布局优化,减少寄生效应
  • 4.5V至20V电源范围
  • 4.5V至5.5V驱动器电源范围
  • 60A连续输出电流,10ms脉冲可达80A,10μs脉冲可达120A
  • 高达2MHz开关操作
  • 3V PWM/三态输入兼容
  • 欠压锁定保护
  • SMOD#控制二极管仿真/CCM操作
  • 低轮廓5x5 QFN - 31L封装

应用领域

内存和显卡、主板VRM、负载点DC/DC转换器、视频游戏机

数据手册PDF