AOZ5612BQI
AOZ5612BQI
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- 品牌名称
- AOS
- 商品型号
- AOZ5612BQI
- 商品编号
- C6861023
- 商品封装
- PowerVFQFN-31
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.4625克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 智能功率模块(IPM) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 欠压锁定带迟滞;热保护;带使能 |
商品概述
AOZ5612BQI是一款高效同步降压功率级模块,由两个不对称MOSFET和一个集成驱动器组成。MOSFET针对同步降压配置进行了单独优化。高端MOSFET经过优化,可实现低电容和栅极电荷,以实现低占空比操作下的快速开关。低端MOSFET具有超低导通电阻,可将传导损耗降至最低。紧凑的5mm x 5mm QFN封装经过优化设计,可将寄生电感降至最低,从而减少电磁干扰。该模块使用PWM和/或SMOD#输入来精确控制功率MOSFET的开关活动,与3V逻辑兼容,并支持三态PWM。
商品特性
- AOZ5612BQI由两个不对称MOSFET和集成驱动器组成,MOSFET针对同步降压配置单独优化
- 高端MOSFET低电容、低栅极电荷,适合低占空比快速开关
- 低端MOSFET超低导通电阻,最小化传导损耗
- 5mm x 5mm QFN封装,最小化寄生电感和EMI
- 使用PWM和/或SMOD#输入精确控制开关活动,兼容3V逻辑,支持三态PWM
- 集成自举开关
- 低端MOSFET可进入二极管仿真模式,改善轻载性能
- 引脚布局优化,减少寄生效应
- 4.5V至20V电源范围
- 4.5V至5.5V驱动器电源范围
- 60A连续输出电流,10ms脉冲可达80A,10μs脉冲可达120A
- 高达2MHz开关操作
- 3V PWM/三态输入兼容
- 欠压锁定保护
- SMOD#控制二极管仿真/CCM操作
- 低轮廓5x5 QFN - 31L封装
应用领域
内存和显卡、主板VRM、负载点DC/DC转换器、视频游戏机
- AMI-28A-10-3
- FW-10-04-F-D-343-065-ES
- AMI-28A-12-3
- AOZ7200CI
- AMI-28B-16-1
- AMI-28B-16-3
- AMI-29-1-3
- FW-10-04-F-D-350-100
- AMI-29-3-3
- FW-10-04-F-D-433-197
- AMI-29A-1-3
- FW-10-04-FM-D-285-150
- FW-10-04-G-D-220-160
- FW-10-04-G-D-250-079
- AMI-B11AW3-13-1-B
- FW-10-04-G-D-300-410
- AMI-M11A-1-1-D
- AP-DIPOLE-C-IW-S2-BL
- FW-04-05-G-D-400-150
- FW-10-04-G-D-450-090
- AMI-M11A-1-5-D

